Введение в теорию атома

Научная литература / Введение в теорию атома
Страница 5

Полярные диаграммы функций азимута Qlm(J) и функций широты F|m|(j).

Радиальные компоненты АО атома Н и их графики. Радиальное распределение плотности вероятности и квантово-химический смысл боровского радиуса.

Anl

     

AZ

2

1

exp(-)

 

(Z/a0)3/2

1/23/2

2-

exp(-)

 

(½)

×

1/61/2



(2/81)

×

1/31/2

27-18+22

exp(-)

 

(4/81)

×

1/31/2

6- 2

(4/81)

×

1/31/2

 2

(1/192)

×

(

¼

)

192-14423

exp(-

4

)

 

(1/80)

×

(1/16)

×

(5/3)1/2

8023

(1/12)

×

(1/64)

×

1/51/2

1223

(1/768)

×

1/351/2

3

= Z(r/a0)

8.20.1. Квантовые числа, интервалы возможных значений.

8.20.3. Пространственные размеры атома водорода.

8.20.4. Наиболее вероятное удаление электрона от ядра.

(Радиус наибольшей плотности вероятности)

Радиус максимальной плотности вероятности называется боровским радиусом и совпадает с радиусом первой орбиты в теории атома водорода по Бору.

8.20.5.Среднее расстояние электрона от ядра.

Поскольку АО представляет собою нормированную одноэлектронную волновую функцию, то знаменатель в формуле для среднего значения любой физической величины, в том числе и расстояния электрона от ядра можно не выписывать, он равен единице, и отсюда следует:

. (8.41)

Среднее расстояние электрона от ядра в полтора раза больше наиболее вероятного - боровского радиуса.

Примечание. Использован вспомогательный интеграл:

(См. теорию Эйлера Гамма - функции 1-го рода).

Энергетическая диаграмма уровней АО атома Н

и Z-1–зарядного водородоподобного иона приводится ниже, где она качественные сравнивается со схемой уровней многоэлектронного атома.

Страницы: 1 2 3 4 5 

Смотрите также

Приложение 5
Добыча нефти включая газовый конденсат, за 1993 г. в тоннах (по компаниям) Российская Федерация                     339653933 Западная Сибирь                             237353903 Тюмень     ...

Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложн ...

Синтез 1,1-дихлор-2-метил-2-фенилциклопропана
...