Образование радиационных дефектов
При внедрении ионов в кремниевую кристаллическую подложку они подвергаются электронным и ядерным столкновениям, однако, только ядерные взаимодействия приводят к смещению атомов кремния. Легкие и тяжелые ионы производят качественно различное "дерево радиационных дефектов".
Легкие ионы при внедрении в мишень первоначально испытывают в основном электронное торможение. На профиле распределения смещенных атомов по глубине подложки существует скрытый максимум концентрации. При внедрении тяжелых ионов они сразу начинают сильно тормозиться атомами кремния.
Тяжелые ионы смещают большое количество атомов мишени из узлов кристаллической решетки вблизи поверхности подложки. На окончательном профиле распределение плотности радиационных дефектов, который повторяет распределение длин пробега выбитых атомов кремния, существует широкий скрытый пик. Сложная структура различных типов дефектов вдоль траектории движения иона вызвана распределением смещенных атомов кремния.
Вводимые в процессе ионной имплантации дефекты состоят из вакансий и дивакансий. При нагреве мишени пучком ионов в процессе имплантации до температуры выше 500 С будут образовываться дислокации.
Смотрите также
Предисловие
В сказке «Алиса в Зазеркалье» – второй части знаменитой
детской дилогии Льюиса Кэрролла, ныне вошедшей в классику литературы для
взрослых, – есть забавное стихотворение (исполняемое Траляля, бр ...
Азокрасители. Ализариновый желтый
Области применения
органических красителей очень многочисленны и разнообразны. Их применяют для
окрашивания пряжи и ткани самого различного вида: льняных, шерстяных,
хлопчатобумажных, шёлко ...
Влияние природы газа-носителя и его параметров на качество разделения веществ в газовой хроматографии
Рассмотрим
влияние природы газа-носителя и его параметров на качество разделения веществ.
Для этого, прежде всего, сформулируем требования, которые предъявляются к
элюенту в газовой хромато ...