Образование радиационных дефектов
При внедрении ионов в кремниевую кристаллическую подложку они подвергаются электронным и ядерным столкновениям, однако, только ядерные взаимодействия приводят к смещению атомов кремния. Легкие и тяжелые ионы производят качественно различное "дерево радиационных дефектов".
Легкие ионы при внедрении в мишень первоначально испытывают в основном электронное торможение. На профиле распределения смещенных атомов по глубине подложки существует скрытый максимум концентрации. При внедрении тяжелых ионов они сразу начинают сильно тормозиться атомами кремния.
Тяжелые ионы смещают большое количество атомов мишени из узлов кристаллической решетки вблизи поверхности подложки. На окончательном профиле распределение плотности радиационных дефектов, который повторяет распределение длин пробега выбитых атомов кремния, существует широкий скрытый пик. Сложная структура различных типов дефектов вдоль траектории движения иона вызвана распределением смещенных атомов кремния.
Вводимые в процессе ионной имплантации дефекты состоят из вакансий и дивакансий. При нагреве мишени пучком ионов в процессе имплантации до температуры выше 500 С будут образовываться дислокации.
Смотрите также
Влияние сульфид-ионов на кинетику и механизм растворения золота в тиокарбамидных растворах
Известно, что в отсутствие на поверхности каталитически активных
частиц золото растворяется в тиокарбамидных растворах с очень малой скоростью
[1-3]. Кинетика и механизм процесса в этих усло ...
Продукция установки УПН
Товарной
продукцией цеха подготовки, перекачки нефти является подготовленная нефть. В
зависимости от степени подготовки устанавливаются I,II,III группы нефти.
Согласно ГОСТ 9965-76 по показат ...
Расчет численности работающих.
Численность
трудящихся проектируемого объема рассчитывается по категориям и группам
работников: основные рабочие, вспомогательные рабочие (включая дежурный и
ремонтный персонал), инженерно-техничес ...