Основные представления о внутреннем строении вещества
псложения м а к с и м а л ь н ы х вероятностей приблизительно соответствуют радиусам круговых орбит теории Бора-Зоммерфельда. Для эллиптических орбит (“<я) на определенных расстояниях от ядра появляются уже не только максимумы, но и мини- мулн.? вероятности, т. е. в атоме образуются отдельные зоны с различной “плотностью электронного облака”.
Подобный способ выражения вероятности нахождения электрона с помощью как бы “размазывания” его и оценки плотности получаемого т*им образом “электронного облака” особенно удобен, при волновомеханическом рассмотрении многоэлектронных атомов. Сплошная линия на рис. Ш-ЗО дает теоретически рассчитанное распределение элек- f тронной плотности для атома аргона. Как видно из рисунка, определенным электронным слоям (К, *-, М) теории Бора - Зоммерфельда отвечают максимумы кривой. Однако значительная плотность электронного облака (т. е. вероятность нахождения электрона) существует и м с ж д у слоями. Последние, таким образом, сколько-нибудь четко друг от друга не отграничиваются. Пунктиром показаны результаты проверки теоретического распределения путем расчета электронной плотности на основе
экспериментальных данных по рассеиванию аргоном электронов. Как видно из рисунка, обе кривые практически совпадают.
Волновомеханический подход к атомным проблемам позволил разрешить ряд вопросов, остававшихся ранее неясными, а также получить некоторые количественные результаты со значительно большей точностью, чем удавалось раньше. Цингами характерный для волновой механики о т к а з о т н а г л я д н о с т и сильно снижает познавательную ценность этого метода и таит в себе опасность скатиться к такому миропониманию, при котором “ ."материя исчезает", остаются одни уравнения” (Ленин).
14) Необходимо подчеркнуть, что волновая механика отнюдь не исключает корпускулярную трактовку явлений. Более того, сами ее уравнения основаны на представлении об электроне, как о точечном заряде, а не зарядовом облаке. “К волновому и корпускулярному описанию следует относиться как к равноправным н дополняющим друг друга точкам зрения на один и тот же объективный процесс.)* (Борн)-
Рис. Ill-30. Распределение электронной
в это* аргона.
Смотрите также
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Техническое
задание
на курсовую работу по
дисциплине
«Физико-химические основы
технологии микроэлектроники»
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать
ра ...
Кадмий
...
Синтех метил сульфона (2-аминофенил)
Целью данной работы
является получение целевого продукта - метил [2-амино-фенил] сульфона, который
может быть использован в качестве исходного соединения в синтезе азокрасителей.
На кафед ...