Расчет уравнения для С, Si, предела прочности
2.3.1. Составление матрицы планирования
Таблица 7
Матрица планирования
|
N |
x1 |
x2 |
x1x2 |
Y3 |
|
|
1 |
1 |
1 |
1 |
1079 |
1079 |
|
2 |
1 |
-1 |
-1 |
1030 |
1044,5 |
|
1059 | |||||
|
3 |
-1 |
1 |
-1 |
1028 |
1024,5 |
|
1010 | |||||
|
1040 | |||||
|
1020 | |||||
|
4 |
-1 |
-1 |
1 |
1020 |
1028 |
|
1030 | |||||
|
1010 | |||||
|
1040 | |||||
|
1040 |
Смотрите также
Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Современный этап развития радиоэлектроники
характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех
радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложн ...