Эффекты, используемые в технологии СБИС
При высокой дозе имплантированного азота скорость окисления кремния уменьшается из-за образования нитрида кремния, тогда как появление дефектов, вводимых при имплантации B, Ar, As, Sb может привести к увеличению скорости окисления. С помощью этих эффектов можно изменять толщину окисла в различных областях приборов СБИС.
В другом случае окислы с поврежденной поверхностью используются для уменьшения толщины маски по краям вытравленных в маске окон, при этом поверхностная область стравливается быстрее, чем бездефектные участки.
Смотрите также
Введение.
XX в. насыщен многими событиями, которые
будоражили и потрясали земную цивилизацию. Шла борьба за передел мира, за
сферы экономического и политического влияния, за источники минерального сырь ...
Синтез нанокристаллических полупроводниковых частиц
...
Водные ресурсы
...