Применение ионного легирования в технологии сбис. Создание мелких переходов

Информация для студентов / Моделирование процессов ионной имплантации / Применение ионного легирования в технологии сбис. Создание мелких переходов

Требование формирования n+ слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.

Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов. В связи с этим большое значение имеет получение мелких p+ - слоев. Такие слои очень сложно сформировать путем имплантации ионов В+.

Решение проблемы, связанной с имплантацией бора на небольшую глубину, на практике облегчается использованием в качестве имплантируемых частиц ВF2. Диссоциация молекулы ВF2+ при первом ядерном столкновении приводит к образованию низкоэнергетических атомов бора. Кроме того, использование молекулы ВF2 имеет преимущество при проведении процесса отжига структур.

Смотрите также

Химия парфюмерно-косметических изделий
Слово « косметика» происходит от греческого слова kosmetike, что означает « искусство украшать себя», а «парфюмерия»- от французского parfum, те приятный запах, духи. Письменные источник ...

Целлюлоза
...

Сложные реакции
...