Применение ионного легирования в технологии сбис. Создание мелких переходов
Требование формирования n+ слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.
Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов. В связи с этим большое значение имеет получение мелких p+ - слоев. Такие слои очень сложно сформировать путем имплантации ионов В+.
Решение проблемы, связанной с имплантацией бора на небольшую глубину, на практике облегчается использованием в качестве имплантируемых частиц ВF2. Диссоциация молекулы ВF2+ при первом ядерном столкновении приводит к образованию низкоэнергетических атомов бора. Кроме того, использование молекулы ВF2 имеет преимущество при проведении процесса отжига структур.
Смотрите также
Медь
Медь (лат. Cuprum)
- химический элемент. Один из семи металлов, известных с глубокой древности. По
некоторым археологическим данным - медь была хорошо известна египтянам еще за
4000 лет до Р. Хр. З ...
Вода. Тяжелая вода
Вода — весьма распространенное на Земле
вещество. Почти 3/4 поверхности земного шара
покрыты водой, образующей океаны, моря, реки и
озера. Много воды находится в газообразном состоянии в ви ...
Химия в решении сырьевой проблемы
В наши дни, когда
человеческое развитие достигло высот, такие проблемы, как экология,
продовольствие, энергия заставляют задуматься о будующем.
Как мне кажется, эта
тема наиболее актуа ...