Применение ионного легирования в технологии сбис. Создание мелких переходов
Требование формирования n+ слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.
Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов. В связи с этим большое значение имеет получение мелких p+ - слоев. Такие слои очень сложно сформировать путем имплантации ионов В+.
Решение проблемы, связанной с имплантацией бора на небольшую глубину, на практике облегчается использованием в качестве имплантируемых частиц ВF2. Диссоциация молекулы ВF2+ при первом ядерном столкновении приводит к образованию низкоэнергетических атомов бора. Кроме того, использование молекулы ВF2 имеет преимущество при проведении процесса отжига структур.
Смотрите также
Синтез, кинетика, термодимика
...
Влияние вязкости и дисперсности несовместимых полимеров на волокнообразование в их смесях
В настоящее время широкое применение получают методы формования
полимерных материалов с заданной структурой на основе смесей несовместимых
полимеров. Так, кристаллизующиеся полимеры при соде ...
Печь кипящего слоя
Как показали расчеты площадь пода равна 1,5м2.
Для расчета печи с такой площадью пода нужна спец литература. Целью данной
работы не является данный расчет, и рисунок 1., представленный ниже, являетс ...