Применение ионного легирования в технологии сбис. Создание мелких переходов
Требование формирования n+ слоев, залегающих на небольшой глубине, для СБИС можно легко удовлетворить с помощью процесса ионной имплантации Аs. Мышьяк имеет очень малую длину проецированного пробега (30 нм) при проведении обычной имплантации с энергией ионов 50 кэВ.
Одной из прогрессивных тенденций развитии СБИС является создание КМОП- транзисторов. В связи с этим большое значение имеет получение мелких p+ - слоев. Такие слои очень сложно сформировать путем имплантации ионов В+.
Решение проблемы, связанной с имплантацией бора на небольшую глубину, на практике облегчается использованием в качестве имплантируемых частиц ВF2. Диссоциация молекулы ВF2+ при первом ядерном столкновении приводит к образованию низкоэнергетических атомов бора. Кроме того, использование молекулы ВF2 имеет преимущество при проведении процесса отжига структур.
Смотрите также
Полиамиды
Полиамиды - высокомолекулярные соединения,
относящиеся к гетероцепным полимерам, в основной цепи которых содержатся
амидные связи, посредством которых соединены между собой мономерные остатк ...
Биогенные амины и алкалоиды
К
пищевым заболеваниям относятся заболевания людей, возникающие при потреблении
продуктов питания с наличием в них опасных для человека микроорганизмов или
ядовитых веществ. Пищевые отравле ...
Оксисоединения
Под оксисоединениями
понимают органические соединения содержащие в составе своей структурной формулы
одну или несколько гидроксильных групп (OH). Таковыми являются все спирты и
фенолы.
...