Жидкофазная эпитаксия арсенида индия.
Несмотря на то, что получение эпитаксиальных слоев из паровой фазы является основным направлением в технологии изготовления полупроводниковых приборов процесс эпитаксиального оста из жидкой фазы в ряде случаев обладает некоторыми преимуществами к примеру
при получении сильнолегированных слоев;
p-n переходов высокого качества.
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия производится с использованием легкоплавких металлов или их смесей, которые могут быть как донорными так и акцепторными примесями в получаемых слоях.
На качество и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев, выращиваемых из жидкой фазы, влияют следующие факторы:
скорость охлаждения раствора-расплава;
начальная равновесная температура раствора-расплава;
увеличение веса растворяющего вещества сверх равновесного значения;
соотношение объема расплава и контактирующей площади поверхности подложки с расплавом;
физико-химическая природа растворителя и растворимого вещества;
металлографическое состояние поверхности подложки;
чистота используемых в процессе веществ и конструкционных материалов.
Электронографические и металлографические исследования установили, что слои выращенные в высокотемпературных областях, имеют более совершенную структуру по сравнению с теми, которые которые получены в низкотемпературных областях.
Смотрите также
Синтез диэтилового эфира малоновой кислоты. Свойства и основные методы получения сложных эфиров
...
Серебро. Общая характеристика
СЕРЕБРО Ag
Базовые характеристики
Порядковый номер
47
Атомный вес
107,870 у.е.
Валентность
I, ...