Система InAs-SiCl4-H2.
Эпитаксиальные пленки арсенида индия высокой чистоты можно получать с использованием в качестве транспортирующего агента тетрахлорид кремния.
Водород, насыщенный тетрахлоридом кремния, при температуре -30СО, подается во внутреннюю трубку реакционной камеры. Продукты разложения (водород, хлористый водород и дихлорид кремния) вместе с остатком тетрахлорида кремния поступают во внешнюю реакционную трубу, где взаимодействуют с первым источником арсенида индия. При этом на источнике растет пористая пленка кремния и образуется хлорид индия мышьяк. На втором источнике, предназначенном для полного восстановления хлоридов кремния, также осаждается небольшое количество кремния. Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия проводится на одноименные подложки, расположенные за вторым источником. Этот процесс можно представить следующим
Последовательным решением:
в реакционной камере
SiCl4 ® SiCl2+2HCl,------------(19)
с источник арсенида индия
2InAs+ SiCl4+ SiCl2®2Si+2InCl+1/4As4,(20)
2InAs+SiCl4®4InCl+As4,------------(21)
на подложке
2InCl+As2+H2®2InAs+HCl.------(22)
Тетрахлорид кремния как транспортный агент в газотранспортных реакциях имеет преимущество перед другими хлоридами:
может быть получен особо высокой степени чистоты;
имеет высокое парциальное давление при относительно невысоких температурах;
не дает донорных уровней в эпитаксиальном слое.
Смотрите также
Приложение 2
Добыча нефти, включая
газовый конденсат в СССР по годам
Годы 1920 1940 1950 1960 1970 1975 1980 1985
_______________________________________________________
Кол-во ...
Синтез и анализ ХТС в производстве бензина
Задание
В курсовой работе осуществлён синтез и анализ
химико-технологической системы (ХТС) по производству бензина.
На основе
расходных коэффициентов и соотношения фракций готового про ...
Синтез метанола
...